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InGaAs NFAD(负反馈雪崩二极管)

产品简介

InGaAs NFAD(负反馈雪崩二极管) InGaAs NFAD(负反馈雪崩光电二极管)主要用于光子计数领域,例如超远距离激光雷达(LiDAR)和激光测距仪(LRF)、自由空间量子通信,以及其他任何需要微弱光子计数的应用,如气体传感器和生物传感器等。该器件基于低噪声、高速光电探测系统理论,采用具备电流放大功能的光学反馈技术。

产品型号:
更新时间:2026-08-12
厂商性质:代理商
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InGaAs NFAD(负反馈雪崩二极管) 主要用于光子计数领域,例如超远距离激光雷达(LiDAR)和激光测距仪(LRF)、自由空间量子通信,以及其他任何需要微弱光子计数的应用,如气体传感器和生物传感器等。该器件基于低噪声、高速光电探测系统理论,采用具备电流放大功能的光学反馈技术。


产品特点:

  • 内置淬灭电阻(可选阻值:360 kΩ / 510 kΩ / 680 kΩ / 810 kΩ / 1MΩ)

  • 针对1000 nm至1600 nm波长优化

  • SMF-28 单模尾纤

  • 10 针蝶形 Mini-Flat 封装

  • 内置三级制冷系统

  • 评估板与散热器(可选配件)


主要应用:

  • 量子密码学(QKD,即量子密钥分发)

  • 激光雷达(LiDAR)

  • 自由空间光通信

  • 量子物理基础研究


参数:

绝对最大额定值

参数

条件

额定值(最大)

单位

正向电流

连续偏置

1

mA

正向电压

连续偏置

1

V

反向电流

连续偏置

1

mA

反向电压

直流偏置(自由运行模式)

VBR +5

V

光输入功率

连续光

1

mW

TEC电流

@27°C, 真空

2.6

A

TEC电压

@27°C, 真空

2.0

V

热敏电阻

@25°C

10

存储温度

-

-40 到 +85

表1. 绝对最大额定值



光电特性

产品交付时须附带检验单。测试报告应以纸质和电子介质形式提交。其应包含以下主要项目。

光电特性(Tc=25°C)

参数

符号

测试条件

最小

典型值

最大

单位

击穿电压

VBR

ID=0.1uA

60

70

80

V

总暗电流

ID

VR= 0.95VBR


1


电容

CPD

f = 1MHz,

VPD= 0.9VB


0.1


量子效率

η

M=1, 1550nm


70


%

光学波长范围

λ

-

1000


1600

nm

响应度

R

λ =1550nm,M=1

0.7

0.8


A/W

VBR的温度系数

Γ

ΔVBR/ΔT


0.11


V/°C

表2. 光电特性


光电特性(Tc= -40°C)

参数

符号

测试条件

最小

典型值

最大

单位

光子探测效率

PDE

Tc=-40°C

10



%


暗计数率


DCR

@10% PDE

Tc=-40°C




10

KHz

工作过电压

ΔV



+2


V

表3.盖革模式下的光电特性

InGaAs NFAD(负反馈雪崩二极管)

带 TEC 的 NFAD(Mini-Flat 封装)

InGaAs NFAD(负反馈雪崩二极管)

带 TEC 的 Mini-Flat 封装 NFAD,已安装在集成散热器外壳内的评估板上




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