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IMA™高光谱成像系统解锁CIGS(铜铟镓硒)光谱与空间分析

更新时间:2026-03-03 点击量:21

可再生能源越来越受欢迎,太阳能产业正迅速发展。这种清洁的能源具备为世界供电的巨大潜力,并以惊人的速度增长CIGS(铜铟镓硒)太阳能电池是低成本薄膜面板的理想候选材料,其效率已取得显著提升,目前已超20%

 

CIGS模块中图案化沟槽损耗的表征

实现如此高效率的一个关键特性是激光图案化互连技术,该技术将尺寸较大CIGS模块分割成多个串联的小型电池单元。然而,尽管这一工艺有助于提高整体效率,但也会引入能量损失。因此,研究人员正在努力寻找更优的图案化几何结构,以减少这些损耗。

 

在本项研究中,来Nice Solar的研究团队重点关注了激光刻蚀两种标准图案化沟槽P1:用于背面接触的图案化P2:用于串联互连)所造成的损伤。这些损伤通过高光谱光致发光成像hyperspectral photoluminescence imaging)进行分析Photon etc.的全局高光谱平台IMA)由光学显微镜CW 532 nm激光器以及基于体布拉格光栅volume Bragg gratings)的高光谱滤波器组成。该平台可400 nm1000 nm范围内工作,提供高的光谱分辨率< 2 nm)和空间分辨率~1 μm)。传统CIGS光致发光PL)研究通常采用局部激发方式,导致电荷向较暗区域扩散。而全局照明所产生的等势条件可减轻这种效应,使测量结果更接近太阳能电池的实际运行模式。

 

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1 - P1线边缘处异常PL观测

a) P1P2刻蚀线的光学显微图像(上图),以及从同一位置获取的高光谱显微图像中提取PL强度图(下图);

b) 980 nm处的单PL图像(上图),以及P1P2图案化线跨过区域PL线轮廓(980 nm处)进行统计分析的结果(下图),显示P1PL效应的范围。(仅显示代表性轮廓;平均值基25条轮廓计算。)

 

1展示了从高光谱数据中提取P1P2线附近PL轮廓PL图像显示,P1线边缘附近存在发射淬灭现象。进一步研究表明,该效应导PL强度下降30%,且并非由成分变化引起这一观察结果前所未见,为设计P1图案化线诱导寄生电学路径的互连结构提供了新的见解"这项工作表明,高光谱成像是一种识别损耗并提CIGS模块效率的有力工具。

 

CIGS 微电池中不均匀性的研究

 CIGS 太阳能电池更高效率的一个障碍,部分源于其多晶结构带来的电池内部不均匀性。为了量化形态对电池效率的影响,研究其不同性质的空间变化至关重要。

 

基于此IPVF IRDEP - 光伏能源研究与发展研究所)的研究人员通过光致发光PL)和电致发光EL)的光谱与空间分辨成像,研究了一个直径 35 μm  CIGS 微电池。为进行此类实验,他们使用了一台具 2 nm 光谱分辨率、空间分辨率接近衍射极限~μm)的高光谱成像仪IMA)。 EL 实验中采用光源计,施加电 Vapp = 0.95 V PL 实验中使 532 nm 激光器激发(激发波长 580 nm)。显微物镜视场内的整个区域被同时激发,并从一百万个点同时收 PL 信号。

 

 2a  b 展示 CIGS 微电池 PL  EL 图像。通过结合其光谱分辨 PL  EL 图谱,并采用光度绝对校准方法,研究人员可以利用广义普朗克定律提取准费米能级分裂Δμeff)(见 1c  d),该参数直接与电池的电压相关。借助太阳能电池 LED 之间的互易关系,可 EL 图像推导出外部量子效率EQE)。

 

能够在样品整个表面的微米尺度上获取基本物理特性,有助于优化制造工艺,从而提高电池效率。

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 2  高光谱图像a)  PL 发射b)  EL 发射。

利用广义普朗克定律,可以推导 c)  d)  Δμeff 分布图。改编 [3]

 

利用高光谱显微镜的强大功能:探IMA

IMA 正置 

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